今天，中邦科学院上海微体系所协同宁波大学咨询团队正在《Advanced Functional Materials》公布咨询，提出以芳纶膜为先驱体通过高温石墨化工艺制备低缺陷、大晶粒、高取向的双向高导热石墨膜，正在膜厚度抵达40微米的情景下达成面内热导率Kin抵达1754 W/m·K，面外热导率Kout打破14.2 W/m·K。与古板导热膜比拟，双向高导热石墨膜正在面内和面外热导率及缺陷左右上均出现出明显上风。正在智妙手机散热模仿中，搭载双向高导热石墨膜的芯片外面最高温度从52 降至45 ；正在2000 W/cm热流密度的高功率芯片散热中，AGFs使芯片外面温差从50 降至9 ，达成急速温度平均化。该咨询揭示了芳纶先驱体正在石墨膜制备中的奇特上风，证据了氮掺杂与低氧含量先驱体可提拔石墨膜结晶质地和双导游热性子，其双导游热本能打破可为5G芯片、功率